Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IPB08CNE8N G
MOSFET N-CH 85V 95A TO263-3
Numer części
IPB08CNE8N G
Producent/marka
Seria
OptiMOS™
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakiet urządzeń dostawcy
D²PAK (TO-263AB)
Rozpraszanie mocy (maks.)
167W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
85V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.2 mOhm @ 95A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 130µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
99nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
6690pF @ 40V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do chen_hx1688@hotmail.com, odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 30429 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IPB08CNE8N G
IPB08CNE8N G Części elektroniczne
IPB08CNE8N G Obroty
IPB08CNE8N G Dostawca
IPB08CNE8N G Dystrybutor
IPB08CNE8N G Tabela danych
IPB08CNE8N G Zdjęcia
IPB08CNE8N G Cena
IPB08CNE8N G Oferta
IPB08CNE8N G Najniższa cena
IPB08CNE8N G Szukaj
IPB08CNE8N G Nabywczy
IPB08CNE8N G Chip