IPB009N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
Numer części
IPB009N03LGATMA1
Producent/marka
Seria
OptiMOS™
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO263-7-3
Rozpraszanie mocy (maks.)
250W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.95 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
227nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
25000pF @ 15V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 10849 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IPB009N03LGATMA1
IPB009N03LGATMA1 Części elektroniczne
IPB009N03LGATMA1 Obroty
IPB009N03LGATMA1 Dostawca
IPB009N03LGATMA1 Dystrybutor
IPB009N03LGATMA1 Tabela danych
IPB009N03LGATMA1 Zdjęcia
IPB009N03LGATMA1 Cena
IPB009N03LGATMA1 Oferta
IPB009N03LGATMA1 Najniższa cena
IPB009N03LGATMA1 Szukaj
IPB009N03LGATMA1 Nabywczy
IPB009N03LGATMA1 Chip