IPB083N15N5LFATMA1
MOSFET N-CH 150V 105A TO263-3
Numer części
IPB083N15N5LFATMA1
Producent/marka
Seria
OptiMOS™
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakiet urządzeń dostawcy
D²PAK (TO-263AB)
Rozpraszanie mocy (maks.)
179W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
150V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 134µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
45nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
210pF @ 75V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 11705 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IPB083N15N5LFATMA1
IPB083N15N5LFATMA1 Części elektroniczne
IPB083N15N5LFATMA1 Obroty
IPB083N15N5LFATMA1 Dostawca
IPB083N15N5LFATMA1 Dystrybutor
IPB083N15N5LFATMA1 Tabela danych
IPB083N15N5LFATMA1 Zdjęcia
IPB083N15N5LFATMA1 Cena
IPB083N15N5LFATMA1 Oferta
IPB083N15N5LFATMA1 Najniższa cena
IPB083N15N5LFATMA1 Szukaj
IPB083N15N5LFATMA1 Nabywczy
IPB083N15N5LFATMA1 Chip