IPB015N04NGATMA1
MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3
Numer części
IPB015N04NGATMA1
Producent/marka
Seria
OptiMOS™
Stan części
Active
Opakowanie
Digi-Reel®
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakiet urządzeń dostawcy
D²PAK (TO-263AB)
Rozpraszanie mocy (maks.)
250W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
40V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 200µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
250nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
20000pF @ 20V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 26682 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IPB015N04NGATMA1
IPB015N04NGATMA1 Części elektroniczne
IPB015N04NGATMA1 Obroty
IPB015N04NGATMA1 Dostawca
IPB015N04NGATMA1 Dystrybutor
IPB015N04NGATMA1 Tabela danych
IPB015N04NGATMA1 Zdjęcia
IPB015N04NGATMA1 Cena
IPB015N04NGATMA1 Oferta
IPB015N04NGATMA1 Najniższa cena
IPB015N04NGATMA1 Szukaj
IPB015N04NGATMA1 Nabywczy
IPB015N04NGATMA1 Chip