BSS806NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
Numer części
BSS806NH6327XTSA1
Producent/marka
Seria
OptiMOS™
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-SOT23-3
Rozpraszanie mocy (maks.)
500mW (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
57 mOhm @ 2.3A, 2.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
750mV @ 11µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
1.7nC @ 2.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
529pF @ 10V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
1.8V, 2.5V
Vgs (maks.)
±8V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 29333 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe BSS806NH6327XTSA1
BSS806NH6327XTSA1 Części elektroniczne
BSS806NH6327XTSA1 Obroty
BSS806NH6327XTSA1 Dostawca
BSS806NH6327XTSA1 Dystrybutor
BSS806NH6327XTSA1 Tabela danych
BSS806NH6327XTSA1 Zdjęcia
BSS806NH6327XTSA1 Cena
BSS806NH6327XTSA1 Oferta
BSS806NH6327XTSA1 Najniższa cena
BSS806NH6327XTSA1 Szukaj
BSS806NH6327XTSA1 Nabywczy
BSS806NH6327XTSA1 Chip