BSS119E6327
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
Numer części
BSS119E6327
Producent/marka
Seria
SIPMOS®
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-SOT23-3
Rozpraszanie mocy (maks.)
360mW (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6 Ohm @ 170mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 50µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
2.5nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
78pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 43925 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe BSS119E6327
BSS119E6327 Części elektroniczne
BSS119E6327 Obroty
BSS119E6327 Dostawca
BSS119E6327 Dystrybutor
BSS119E6327 Tabela danych
BSS119E6327 Zdjęcia
BSS119E6327 Cena
BSS119E6327 Oferta
BSS119E6327 Najniższa cena
BSS119E6327 Szukaj
BSS119E6327 Nabywczy
BSS119E6327 Chip