BSC100N06LS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
Numer części
BSC100N06LS3GATMA1
Producent/marka
Seria
OptiMOS™
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
8-PowerTDFN
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TDSON-8
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
12A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 23µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
45nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3500pF @ 30V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 37293 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe BSC100N06LS3GATMA1
BSC100N06LS3GATMA1 Części elektroniczne
BSC100N06LS3GATMA1 Obroty
BSC100N06LS3GATMA1 Dostawca
BSC100N06LS3GATMA1 Dystrybutor
BSC100N06LS3GATMA1 Tabela danych
BSC100N06LS3GATMA1 Zdjęcia
BSC100N06LS3GATMA1 Cena
BSC100N06LS3GATMA1 Oferta
BSC100N06LS3GATMA1 Najniższa cena
BSC100N06LS3GATMA1 Szukaj
BSC100N06LS3GATMA1 Nabywczy
BSC100N06LS3GATMA1 Chip