Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
GP2M023A050N
MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN
Numer części
GP2M023A050N
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-3P-3, SC-65-3
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-3PN
Rozpraszanie mocy (maks.)
347W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
500V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
220 mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
64nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3270pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 48757 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe GP2M023A050N
GP2M023A050N Części elektroniczne
GP2M023A050N Obroty
GP2M023A050N Dostawca
GP2M023A050N Dystrybutor
GP2M023A050N Tabela danych
GP2M023A050N Zdjęcia
GP2M023A050N Cena
GP2M023A050N Oferta
GP2M023A050N Najniższa cena
GP2M023A050N Szukaj
GP2M023A050N Nabywczy
GP2M023A050N Chip