Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
GP2M002A065FG

GP2M002A065FG

MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220F
Numer części
GP2M002A065FG
Seria
-
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-220-3 Full Pack
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220F
Rozpraszanie mocy (maks.)
17.3W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.6 Ohm @ 900mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
8.5nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
353pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 26727 PCS
Informacje kontaktowe
Słowa kluczowe GP2M002A065FG
GP2M002A065FG Części elektroniczne
GP2M002A065FG Obroty
GP2M002A065FG Dostawca
GP2M002A065FG Dystrybutor
GP2M002A065FG Tabela danych
GP2M002A065FG Zdjęcia
GP2M002A065FG Cena
GP2M002A065FG Oferta
GP2M002A065FG Najniższa cena
GP2M002A065FG Szukaj
GP2M002A065FG Nabywczy
GP2M002A065FG Chip