Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
GP2M009A090FG

GP2M009A090FG

MOSFET N-CH 900V 9A TO220F
Numer części
GP2M009A090FG
Seria
-
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-220-3 Full Pack
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220F
Rozpraszanie mocy (maks.)
89W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
900V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
72nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2740pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 20009 PCS
Informacje kontaktowe
Słowa kluczowe GP2M009A090FG
GP2M009A090FG Części elektroniczne
GP2M009A090FG Obroty
GP2M009A090FG Dostawca
GP2M009A090FG Dystrybutor
GP2M009A090FG Tabela danych
GP2M009A090FG Zdjęcia
GP2M009A090FG Cena
GP2M009A090FG Oferta
GP2M009A090FG Najniższa cena
GP2M009A090FG Szukaj
GP2M009A090FG Nabywczy
GP2M009A090FG Chip