Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
GP2M007A080F
MOSFET N-CH 800V 7A TO220F
Numer części
GP2M007A080F
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-220-3 Full Pack
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220F
Rozpraszanie mocy (maks.)
50W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
800V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.9 Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
38nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1410pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 38774 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe GP2M007A080F
GP2M007A080F Części elektroniczne
GP2M007A080F Obroty
GP2M007A080F Dostawca
GP2M007A080F Dystrybutor
GP2M007A080F Tabela danych
GP2M007A080F Zdjęcia
GP2M007A080F Cena
GP2M007A080F Oferta
GP2M007A080F Najniższa cena
GP2M007A080F Szukaj
GP2M007A080F Nabywczy
GP2M007A080F Chip