Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
EPC2034ENGRT
TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE
Numer części
EPC2034ENGRT
Producent/marka
Seria
eGaN®
Stan części
Discontinued at Digi-Key
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
GaNFET (Gallium Nitride)
temperatura robocza
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
Die
Pakiet urządzeń dostawcy
Die
Rozpraszanie mocy (maks.)
-
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
200V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
31A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10 mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 7mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
8.5nC @ 5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
940pF @ 100V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
5V
Vgs (maks.)
+6V, -4V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 28521 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe EPC2034ENGRT
EPC2034ENGRT Części elektroniczne
EPC2034ENGRT Obroty
EPC2034ENGRT Dostawca
EPC2034ENGRT Dystrybutor
EPC2034ENGRT Tabela danych
EPC2034ENGRT Zdjęcia
EPC2034ENGRT Cena
EPC2034ENGRT Oferta
EPC2034ENGRT Najniższa cena
EPC2034ENGRT Szukaj
EPC2034ENGRT Nabywczy
EPC2034ENGRT Chip