EPC2007
TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE
Numer części
EPC2007
Producent/marka
Seria
eGaN®
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
GaNFET (Gallium Nitride)
temperatura robocza
-40°C ~ 125°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
Die
Pakiet urządzeń dostawcy
Die Outline (5-Solder Bar)
Rozpraszanie mocy (maks.)
-
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30 mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1.2mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
2.8nC @ 5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
205pF @ 50V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
5V
Vgs (maks.)
+6V, -5V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 47131 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe EPC2007
EPC2007 Części elektroniczne
EPC2007 Obroty
EPC2007 Dostawca
EPC2007 Dystrybutor
EPC2007 Tabela danych
EPC2007 Zdjęcia
EPC2007 Cena
EPC2007 Oferta
EPC2007 Najniższa cena
EPC2007 Szukaj
EPC2007 Nabywczy
EPC2007 Chip