Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
EPC2018
TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
Numer części
EPC2018
Producent/marka
Seria
eGaN®
Stan części
Discontinued at Digi-Key
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
GaNFET (Gallium Nitride)
temperatura robocza
-40°C ~ 125°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
Die
Pakiet urządzeń dostawcy
Die
Rozpraszanie mocy (maks.)
-
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
150V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 3mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
7.5nC @ 5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
540pF @ 100V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
5V
Vgs (maks.)
+6V, -5V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 41353 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe EPC2018
EPC2018 Części elektroniczne
EPC2018 Obroty
EPC2018 Dostawca
EPC2018 Dystrybutor
EPC2018 Tabela danych
EPC2018 Zdjęcia
EPC2018 Cena
EPC2018 Oferta
EPC2018 Najniższa cena
EPC2018 Szukaj
EPC2018 Nabywczy
EPC2018 Chip