Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
EPC2016

EPC2016

TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE
Numer części
EPC2016
Producent/marka
Seria
eGaN®
Stan części
Discontinued at Digi-Key
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
GaNFET (Gallium Nitride)
temperatura robocza
-40°C ~ 125°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
Die
Pakiet urządzeń dostawcy
Die
Rozpraszanie mocy (maks.)
-
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16 mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 3mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
5.2nC @ 5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
520pF @ 50V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
5V
Vgs (maks.)
+6V, -5V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 38440 PCS
Informacje kontaktowe
Słowa kluczowe EPC2016
EPC2016 Części elektroniczne
EPC2016 Obroty
EPC2016 Dostawca
EPC2016 Dystrybutor
EPC2016 Tabela danych
EPC2016 Zdjęcia
EPC2016 Cena
EPC2016 Oferta
EPC2016 Najniższa cena
EPC2016 Szukaj
EPC2016 Nabywczy
EPC2016 Chip