EPC2015
TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
Numer części
EPC2015
Producent/marka
Seria
eGaN®
Stan części
Discontinued at Digi-Key
Opakowanie
Digi-Reel®
Technologia
GaNFET (Gallium Nitride)
temperatura robocza
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
Die
Pakiet urządzeń dostawcy
Die Outline (11-Solder Bar)
Rozpraszanie mocy (maks.)
-
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
40V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4 mOhm @ 33A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 9mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
11.6nC @ 5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1200pF @ 20V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
5V
Vgs (maks.)
+6V, -5V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 33560 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe EPC2015
EPC2015 Części elektroniczne
EPC2015 Obroty
EPC2015 Dostawca
EPC2015 Dystrybutor
EPC2015 Tabela danych
EPC2015 Zdjęcia
EPC2015 Cena
EPC2015 Oferta
EPC2015 Najniższa cena
EPC2015 Szukaj
EPC2015 Nabywczy
EPC2015 Chip