EPC2012
TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
Numer części
EPC2012
Producent/marka
Seria
eGaN®
Stan części
Discontinued at Digi-Key
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
GaNFET (Gallium Nitride)
temperatura robocza
-40°C ~ 125°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
Die
Pakiet urządzeń dostawcy
Die
Rozpraszanie mocy (maks.)
-
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
200V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
1.8nC @ 5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
145pF @ 100V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
5V
Vgs (maks.)
+6V, -5V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 16635 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe EPC2012
EPC2012 Części elektroniczne
EPC2012 Obroty
EPC2012 Dostawca
EPC2012 Dystrybutor
EPC2012 Tabela danych
EPC2012 Zdjęcia
EPC2012 Cena
EPC2012 Oferta
EPC2012 Najniższa cena
EPC2012 Szukaj
EPC2012 Nabywczy
EPC2012 Chip