DMNH10H028SK3-13
MOSFET N-CH 100V 55A TO252
Numer części
DMNH10H028SK3-13
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-252, (D-Pak)
Rozpraszanie mocy (maks.)
2W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
28 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.3V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
36nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2245pF @ 50V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 27852 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe DMNH10H028SK3-13
DMNH10H028SK3-13 Części elektroniczne
DMNH10H028SK3-13 Obroty
DMNH10H028SK3-13 Dostawca
DMNH10H028SK3-13 Dystrybutor
DMNH10H028SK3-13 Tabela danych
DMNH10H028SK3-13 Zdjęcia
DMNH10H028SK3-13 Cena
DMNH10H028SK3-13 Oferta
DMNH10H028SK3-13 Najniższa cena
DMNH10H028SK3-13 Szukaj
DMNH10H028SK3-13 Nabywczy
DMNH10H028SK3-13 Chip