Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
CZDM1003N TR
MOSFET N-CH 100V 3A SOT-223
Numer części
CZDM1003N TR
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-261-4, TO-261AA
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-223
Rozpraszanie mocy (maks.)
2W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
150 mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
15nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
975pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 28137 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe CZDM1003N TR
CZDM1003N TR Części elektroniczne
CZDM1003N TR Obroty
CZDM1003N TR Dostawca
CZDM1003N TR Dystrybutor
CZDM1003N TR Tabela danych
CZDM1003N TR Zdjęcia
CZDM1003N TR Cena
CZDM1003N TR Oferta
CZDM1003N TR Najniższa cena
CZDM1003N TR Szukaj
CZDM1003N TR Nabywczy
CZDM1003N TR Chip