Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
AON7200_101

AON7200_101

MOSFET N-CH DFN
Numer części
AON7200_101
Seria
-
Stan części
Last Time Buy
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
8-VDFN Exposed Pad
Pakiet urządzeń dostawcy
8-DFN-EP (3x3)
Rozpraszanie mocy (maks.)
3.1W (Ta), 62W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
15.8A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
20nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1300pF @ 15V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 39540 PCS
Informacje kontaktowe
Słowa kluczowe AON7200_101
AON7200_101 Części elektroniczne
AON7200_101 Obroty
AON7200_101 Dostawca
AON7200_101 Dystrybutor
AON7200_101 Tabela danych
AON7200_101 Zdjęcia
AON7200_101 Cena
AON7200_101 Oferta
AON7200_101 Najniższa cena
AON7200_101 Szukaj
AON7200_101 Nabywczy
AON7200_101 Chip