AOB20S60L
MOSFET N-CH 600V 20A TO263
Numer części
AOB20S60L
Producent/marka
Seria
aMOS™
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-263 (D²Pak)
Rozpraszanie mocy (maks.)
266W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
199 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.1V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
19.8nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1038pF @ 100V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 48112 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe AOB20S60L
AOB20S60L Części elektroniczne
AOB20S60L Obroty
AOB20S60L Dostawca
AOB20S60L Dystrybutor
AOB20S60L Tabela danych
AOB20S60L Zdjęcia
AOB20S60L Cena
AOB20S60L Oferta
AOB20S60L Najniższa cena
AOB20S60L Szukaj
AOB20S60L Nabywczy
AOB20S60L Chip