VBsemi (Wei Bi)
Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
NTMS4176PR2G-VB
P-channel 30V 9A
Numer części
NTMS4176PR2G-VB
Kategoria
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Producent/marka
VBsemi (Wei Bi)
Kapsułkowanie
SOIC-8
Uszczelka
taping
Liczba opakowań
4000
Opis
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 77733 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
P-Channel 20V 8.8A Single P-Channel, Enhancement Mode Power MOSFET, -20V, -10A, 14mΩ
onsemi (Ansemi)
P-Channel 30V 6.6A Power MOSFET -30V -11.4A 19 mΩ Single P-Channel SO-8
onsemi (Ansemi)
P-Channel 20V 3.95A Single P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET -20V, -5.4A, 33mΩ
onsemi (Ansemi)
Słowa kluczowe NTMS4176PR2G-VB
NTMS4176PR2G-VB Części elektroniczne
NTMS4176PR2G-VB Obroty
NTMS4176PR2G-VB Dostawca
NTMS4176PR2G-VB Dystrybutor
NTMS4176PR2G-VB Tabela danych
NTMS4176PR2G-VB Zdjęcia
NTMS4176PR2G-VB Cena
NTMS4176PR2G-VB Oferta
NTMS4176PR2G-VB Najniższa cena
NTMS4176PR2G-VB Szukaj
NTMS4176PR2G-VB Nabywczy
NTMS4176PR2G-VB Chip