onsemi (Ansemi)
Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
NSVDTA114EM3T5G 1 PNP-Prebiased 100mA 50V PNP Bipolar Digital Transistor (BRT)

NSVDTA114EM3T5G

1 PNP-Prebiased 100mA 50V PNP Bipolar Digital Transistor (BRT)
Numer części
NSVDTA114EM3T5G
Kategoria
Triode/MOS Tube/Transistor > Digital Transistor
Producent/marka
onsemi (Ansemi)
Kapsułkowanie
SOT-723-3
Uszczelka
taping
Liczba opakowań
8000
Opis
This family of digital transistors is suitable for replacing a single device and its external resistor bias network. The bias resistor transistor (BRT) consists of a transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. The BRT integrates these components into one device, eliminating the need for these external components. Using BRT can reduce both system cost and board space.
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 91036 PCS
Informacje kontaktowe
Słowa kluczowe NSVDTA114EM3T5G
NSVDTA114EM3T5G Części elektroniczne
NSVDTA114EM3T5G Obroty
NSVDTA114EM3T5G Dostawca
NSVDTA114EM3T5G Dystrybutor
NSVDTA114EM3T5G Tabela danych
NSVDTA114EM3T5G Zdjęcia
NSVDTA114EM3T5G Cena
NSVDTA114EM3T5G Oferta
NSVDTA114EM3T5G Najniższa cena
NSVDTA114EM3T5G Szukaj
NSVDTA114EM3T5G Nabywczy
NSVDTA114EM3T5G Chip