onsemi (Ansemi)
Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
NCD57090EDWR2G
Isolated High Current Gate Driver
Numer części
NCD57090EDWR2G
Kategoria
Power Chip > Gate Driver IC
Producent/marka
onsemi (Ansemi)
Kapsułkowanie
SOIC-8-5.9mm
Uszczelka
taping
Liczba opakowań
1000
Opis
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 64356 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Half Bridge IGBT Sink 7.1A Source 7.8A Isolated High Current and High Efficiency IGBT Gate Driver with Internal Galvanic Isolation.
onsemi (Ansemi)
Half Bridge IGBT Sink Current 7.1A Source Current 7.8A Isolated High Current IGBT Gate Driver
onsemi (Ansemi)
Low Side High Side IGBT Sink Current 6.8A Source Current 7.8A IGBT Gate Drivers, High-Current, Stand-Alone
onsemi (Ansemi)
Low-Side IGBT Sink 6A Source 4A IGBT Gate Driver, High Current, Standalone
onsemi (Ansemi)
Low-Side IGBT Sink 6.8A Source 7.8A IGBT Gate Driver, High Current, Standalone
onsemi (Ansemi)
Low Side High Side IGBT Sink 6.8A Source 7.8A IGBT Gate Driver, High Current, Standalone
onsemi (Ansemi)
Half Bridge IGBT Sink 6.8A Source 7.8A IGBT Gate Driver, High Current, Independent, Non-Inverting
onsemi (Ansemi)
Half Bridge IGBT Sink Current 2.3A Source Current 1.9A Half Bridge Gate Driver (Isolated High Side & Non-Isolated Low Side)
onsemi (Ansemi)
Słowa kluczowe NCD57090EDWR2G
NCD57090EDWR2G Części elektroniczne
NCD57090EDWR2G Obroty
NCD57090EDWR2G Dostawca
NCD57090EDWR2G Dystrybutor
NCD57090EDWR2G Tabela danych
NCD57090EDWR2G Zdjęcia
NCD57090EDWR2G Cena
NCD57090EDWR2G Oferta
NCD57090EDWR2G Najniższa cena
NCD57090EDWR2G Szukaj
NCD57090EDWR2G Nabywczy
NCD57090EDWR2G Chip