onsemi (Ansemi)
Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
H11G2VM DC Input Isolation Voltage (rms): 4170V High Voltage Photoelectric Darlington Output Optocoupler

H11G2VM

DC Input Isolation Voltage (rms): 4170V High Voltage Photoelectric Darlington Output Optocoupler
Numer części
H11G2VM
Kategoria
Optocoupler/LED/Digital Tube/Optoelectronic Device > Optocoupler-Phototransistor Output
Producent/marka
onsemi (Ansemi)
Kapsułkowanie
DIP-6
Uszczelka
bagged
Liczba opakowań
1000
Opis
The H11G1M and H11G2M are opto-Darlington optocouplers. These devices feature a GaAs infrared emitting diode coupled to a silicon Darlington junction phototransistor with an integrated base-emitter resistor for optimized high temperature characteristics.
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 74837 PCS
Informacje kontaktowe
Słowa kluczowe H11G2VM
H11G2VM Części elektroniczne
H11G2VM Obroty
H11G2VM Dostawca
H11G2VM Dystrybutor
H11G2VM Tabela danych
H11G2VM Zdjęcia
H11G2VM Cena
H11G2VM Oferta
H11G2VM Najniższa cena
H11G2VM Szukaj
H11G2VM Nabywczy
H11G2VM Chip