The FODM121 series, FODM124 and FODM2701 include a Gallium Arsenide Infrared Emitting Diode driving a phototransistor within a compact 4-pin micro-flat encapsulation. Lead spacing is 2.54 mm. The FODM2705 consists of two Gallium Arsenide Infrared Emitting Diodes connected in anti-parallel for AC operation.
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.