SUD50N10-18P-GE3
MOSFET N-CH 100V 8.2A DPAK
Numer części
SUD50N10-18P-GE3
Producent/marka
Seria
TrenchFET®
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-252, (D-Pak)
Rozpraszanie mocy (maks.)
3W (Ta), 136.4W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
8.2A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
75nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2600pF @ 50V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 6824 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SUD50N10-18P-GE3
SUD50N10-18P-GE3 Części elektroniczne
SUD50N10-18P-GE3 Obroty
SUD50N10-18P-GE3 Dostawca
SUD50N10-18P-GE3 Dystrybutor
SUD50N10-18P-GE3 Tabela danych
SUD50N10-18P-GE3 Zdjęcia
SUD50N10-18P-GE3 Cena
SUD50N10-18P-GE3 Oferta
SUD50N10-18P-GE3 Najniższa cena
SUD50N10-18P-GE3 Szukaj
SUD50N10-18P-GE3 Nabywczy
SUD50N10-18P-GE3 Chip