SQS407ENW-T1_GE3
MOSFET P-CH 30V PPAK 1212-8W
Numer części
SQS407ENW-T1_GE3
Producent/marka
Seria
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Stan części
Active
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
PowerPAK® 1212-8W
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® 1212-8W
Rozpraszanie mocy (maks.)
62.5W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10.8 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
77nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4572pF @ 20V
Vgs (maks.)
±20V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 25003 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SQS407ENW-T1_GE3
SQS407ENW-T1_GE3 Części elektroniczne
SQS407ENW-T1_GE3 Obroty
SQS407ENW-T1_GE3 Dostawca
SQS407ENW-T1_GE3 Dystrybutor
SQS407ENW-T1_GE3 Tabela danych
SQS407ENW-T1_GE3 Zdjęcia
SQS407ENW-T1_GE3 Cena
SQS407ENW-T1_GE3 Oferta
SQS407ENW-T1_GE3 Najniższa cena
SQS407ENW-T1_GE3 Szukaj
SQS407ENW-T1_GE3 Nabywczy
SQS407ENW-T1_GE3 Chip