Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
SQJB70EP-T1_GE3
MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8
Numer części
SQJB70EP-T1_GE3
Producent/marka
Seria
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Stan części
Active
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
PowerPAK® SO-8 Dual
Moc - maks
27W (Tc)
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® SO-8 Dual
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkcja FET
Standard
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
95 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
7nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
220pF @ 25V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 53602 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SQJB70EP-T1_GE3
SQJB70EP-T1_GE3 Części elektroniczne
SQJB70EP-T1_GE3 Obroty
SQJB70EP-T1_GE3 Dostawca
SQJB70EP-T1_GE3 Dystrybutor
SQJB70EP-T1_GE3 Tabela danych
SQJB70EP-T1_GE3 Zdjęcia
SQJB70EP-T1_GE3 Cena
SQJB70EP-T1_GE3 Oferta
SQJB70EP-T1_GE3 Najniższa cena
SQJB70EP-T1_GE3 Szukaj
SQJB70EP-T1_GE3 Nabywczy
SQJB70EP-T1_GE3 Chip