SQJ570EP-T1_GE3
MOSFET N/P-CH 100V POWERPAK SO8
Numer części
SQJ570EP-T1_GE3
Producent/marka
Seria
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Stan części
Active
Opakowanie
Digi-Reel®
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
PowerPAK® SO-8 Dual
Moc - maks
27W
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® SO-8 Dual
Typ FET
N and P-Channel
Funkcja FET
Standard
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
15A (Tc), 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
45 mOhm @ 6A, 10V, 146 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
20nC @ 10V, 15nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
650pF @ 25V, 600pF @ 25V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 18789 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SQJ570EP-T1_GE3
SQJ570EP-T1_GE3 Części elektroniczne
SQJ570EP-T1_GE3 Obroty
SQJ570EP-T1_GE3 Dostawca
SQJ570EP-T1_GE3 Dystrybutor
SQJ570EP-T1_GE3 Tabela danych
SQJ570EP-T1_GE3 Zdjęcia
SQJ570EP-T1_GE3 Cena
SQJ570EP-T1_GE3 Oferta
SQJ570EP-T1_GE3 Najniższa cena
SQJ570EP-T1_GE3 Szukaj
SQJ570EP-T1_GE3 Nabywczy
SQJ570EP-T1_GE3 Chip