SQJ560EP-T1_GE3
MOSFET DUAL N P CH 60V PPAK SO-8
Numer części
SQJ560EP-T1_GE3
Producent/marka
Seria
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Stan części
Active
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
PowerPAK® SO-8 Dual
Moc - maks
34W (Tc)
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® SO-8 Dual
Typ FET
N and P-Channel
Funkcja FET
Standard
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
30A (Tc), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12 mOhm @ 10A, 10V, 52.6 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
30nC @ 10V, 45nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1650pF @ 25V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 35001 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SQJ560EP-T1_GE3
SQJ560EP-T1_GE3 Części elektroniczne
SQJ560EP-T1_GE3 Obroty
SQJ560EP-T1_GE3 Dostawca
SQJ560EP-T1_GE3 Dystrybutor
SQJ560EP-T1_GE3 Tabela danych
SQJ560EP-T1_GE3 Zdjęcia
SQJ560EP-T1_GE3 Cena
SQJ560EP-T1_GE3 Oferta
SQJ560EP-T1_GE3 Najniższa cena
SQJ560EP-T1_GE3 Szukaj
SQJ560EP-T1_GE3 Nabywczy
SQJ560EP-T1_GE3 Chip