SQJ464EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 32A POWERPAKSO-8
Numer części
SQJ464EP-T1_GE3
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
PowerPAK® SO-8
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® SO-8
Rozpraszanie mocy (maks.)
45W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17 mOhm @ 7.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
44nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2086pF @ 30V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 14480 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SQJ464EP-T1_GE3
SQJ464EP-T1_GE3 Części elektroniczne
SQJ464EP-T1_GE3 Obroty
SQJ464EP-T1_GE3 Dostawca
SQJ464EP-T1_GE3 Dystrybutor
SQJ464EP-T1_GE3 Tabela danych
SQJ464EP-T1_GE3 Zdjęcia
SQJ464EP-T1_GE3 Cena
SQJ464EP-T1_GE3 Oferta
SQJ464EP-T1_GE3 Najniższa cena
SQJ464EP-T1_GE3 Szukaj
SQJ464EP-T1_GE3 Nabywczy
SQJ464EP-T1_GE3 Chip