SQ2310ES-T1_GE3
MOSFET N-CH 20V 6A SOT23
Numer części
SQ2310ES-T1_GE3
Producent/marka
Seria
TrenchFET®
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-236
Rozpraszanie mocy (maks.)
2W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
8.5nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
485pF @ 10V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
1.5V, 4.5V
Vgs (maks.)
±8V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 43853 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SQ2310ES-T1_GE3
SQ2310ES-T1_GE3 Części elektroniczne
SQ2310ES-T1_GE3 Obroty
SQ2310ES-T1_GE3 Dostawca
SQ2310ES-T1_GE3 Dystrybutor
SQ2310ES-T1_GE3 Tabela danych
SQ2310ES-T1_GE3 Zdjęcia
SQ2310ES-T1_GE3 Cena
SQ2310ES-T1_GE3 Oferta
SQ2310ES-T1_GE3 Najniższa cena
SQ2310ES-T1_GE3 Szukaj
SQ2310ES-T1_GE3 Nabywczy
SQ2310ES-T1_GE3 Chip