SQ2308CES-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 2.3A
Numer części
SQ2308CES-T1_GE3
Producent/marka
Seria
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-23 (TO-236AB)
Rozpraszanie mocy (maks.)
2W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
150 mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
5.3nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
205pF @ 30V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 40094 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SQ2308CES-T1_GE3
SQ2308CES-T1_GE3 Części elektroniczne
SQ2308CES-T1_GE3 Obroty
SQ2308CES-T1_GE3 Dostawca
SQ2308CES-T1_GE3 Dystrybutor
SQ2308CES-T1_GE3 Tabela danych
SQ2308CES-T1_GE3 Zdjęcia
SQ2308CES-T1_GE3 Cena
SQ2308CES-T1_GE3 Oferta
SQ2308CES-T1_GE3 Najniższa cena
SQ2308CES-T1_GE3 Szukaj
SQ2308CES-T1_GE3 Nabywczy
SQ2308CES-T1_GE3 Chip