SIZ730DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
Numer części
SIZ730DT-T1-GE3
Producent/marka
Seria
TrenchFET®
Stan części
Active
Opakowanie
Digi-Reel®
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
6-PowerPair™
Moc - maks
27W, 48W
Pakiet urządzeń dostawcy
6-PowerPair™
Typ FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Funkcja FET
Logic Level Gate
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
16A, 35A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.3 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
24nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
830pF @ 15V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 10798 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SIZ730DT-T1-GE3
SIZ730DT-T1-GE3 Części elektroniczne
SIZ730DT-T1-GE3 Obroty
SIZ730DT-T1-GE3 Dostawca
SIZ730DT-T1-GE3 Dystrybutor
SIZ730DT-T1-GE3 Tabela danych
SIZ730DT-T1-GE3 Zdjęcia
SIZ730DT-T1-GE3 Cena
SIZ730DT-T1-GE3 Oferta
SIZ730DT-T1-GE3 Najniższa cena
SIZ730DT-T1-GE3 Szukaj
SIZ730DT-T1-GE3 Nabywczy
SIZ730DT-T1-GE3 Chip