Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
SISH434DN-T1-GE3
MOSFET N-CHAN 40V PPAK 1212-8SH
Numer części
SISH434DN-T1-GE3
Producent/marka
Seria
TrenchFET®
Stan części
Active
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
PowerPAK® 1212-8SH
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® 1212-8SH
Rozpraszanie mocy (maks.)
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Napięcie dren-źródło (Vdss)
40V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
17.6A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.6 mOhm @ 16.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
40nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1530pF @ 20V
Vgs (maks.)
±20V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 13164 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SISH434DN-T1-GE3
SISH434DN-T1-GE3 Części elektroniczne
SISH434DN-T1-GE3 Obroty
SISH434DN-T1-GE3 Dostawca
SISH434DN-T1-GE3 Dystrybutor
SISH434DN-T1-GE3 Tabela danych
SISH434DN-T1-GE3 Zdjęcia
SISH434DN-T1-GE3 Cena
SISH434DN-T1-GE3 Oferta
SISH434DN-T1-GE3 Najniższa cena
SISH434DN-T1-GE3 Szukaj
SISH434DN-T1-GE3 Nabywczy
SISH434DN-T1-GE3 Chip