SISH410DN-T1-GE3
MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH
Numer części
SISH410DN-T1-GE3
Producent/marka
Seria
TrenchFET®
Stan części
Active
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
PowerPAK® 1212-8SH
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® 1212-8SH
Rozpraszanie mocy (maks.)
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
22A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
41nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1600pF @ 10V
Vgs (maks.)
±20V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 42969 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SISH410DN-T1-GE3
SISH410DN-T1-GE3 Części elektroniczne
SISH410DN-T1-GE3 Obroty
SISH410DN-T1-GE3 Dostawca
SISH410DN-T1-GE3 Dystrybutor
SISH410DN-T1-GE3 Tabela danych
SISH410DN-T1-GE3 Zdjęcia
SISH410DN-T1-GE3 Cena
SISH410DN-T1-GE3 Oferta
SISH410DN-T1-GE3 Najniższa cena
SISH410DN-T1-GE3 Szukaj
SISH410DN-T1-GE3 Nabywczy
SISH410DN-T1-GE3 Chip