Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
SIR410DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
Numer części
SIR410DP-T1-GE3
Producent/marka
Seria
TrenchFET®
Stan części
Active
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
PowerPAK® SO-8
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® SO-8
Rozpraszanie mocy (maks.)
4.2W (Ta), 36W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
41nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1600pF @ 10V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 28067 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SIR410DP-T1-GE3
SIR410DP-T1-GE3 Części elektroniczne
SIR410DP-T1-GE3 Obroty
SIR410DP-T1-GE3 Dostawca
SIR410DP-T1-GE3 Dystrybutor
SIR410DP-T1-GE3 Tabela danych
SIR410DP-T1-GE3 Zdjęcia
SIR410DP-T1-GE3 Cena
SIR410DP-T1-GE3 Oferta
SIR410DP-T1-GE3 Najniższa cena
SIR410DP-T1-GE3 Szukaj
SIR410DP-T1-GE3 Nabywczy
SIR410DP-T1-GE3 Chip