Kup Vishay Siliconix SIJA72ADP-T1-GE3 MOSFET N-CHAN 40V PPAK SO-8L

Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.

Wyświetl informacje Arkusze danych

SIJA72ADP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 40V PPAK SO-8L

Numer części

SIJA72ADP-T1-GE3

Producent/marka

Vishay Siliconix

Seria

TrenchFET® Gen IV

Stan części

Active

Technologia

MOSFET (Metal Oxide)

temperatura robocza

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ mocowania

Surface Mount

Opakowanie/etui

PowerPAK® SO-8

Pakiet urządzeń dostawcy

PowerPAK® SO-8

Rozpraszanie mocy (maks.)

4.8W (Ta), 56.8W (Tc)

Typ FET

N-Channel

Napięcie dren-źródło (Vdss)

40V

Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C

27.9A (Ta), 96A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.42 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs

50nC @ 10V

Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

2530pF @ 20V

Vgs (maks.)

+20V, -16V

Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)

4.5V, 10V

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.

W magazynie 24654 PCS

Informacje kontaktowe

Produkty powiązane

SIJA52ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V PPAK SO-8L

Vishay Siliconix

SIJA52ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V PPAK SO-8L

Vishay Siliconix

SIJA52ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V PPAK SO-8L

Vishay Siliconix

SIJA52DP-T1-GE3