Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
SIHH14N60E-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 16A POWERPAK8X8
Numer części
SIHH14N60E-T1-GE3
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
8-PowerTDFN
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® 8 x 8
Rozpraszanie mocy (maks.)
147W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
255 mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
82nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1416pF @ 100V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 39258 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SIHH14N60E-T1-GE3
SIHH14N60E-T1-GE3 Części elektroniczne
SIHH14N60E-T1-GE3 Obroty
SIHH14N60E-T1-GE3 Dostawca
SIHH14N60E-T1-GE3 Dystrybutor
SIHH14N60E-T1-GE3 Tabela danych
SIHH14N60E-T1-GE3 Zdjęcia
SIHH14N60E-T1-GE3 Cena
SIHH14N60E-T1-GE3 Oferta
SIHH14N60E-T1-GE3 Najniższa cena
SIHH14N60E-T1-GE3 Szukaj
SIHH14N60E-T1-GE3 Nabywczy
SIHH14N60E-T1-GE3 Chip