Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
SIHA20N50E-E3
MOSFET N-CH 500V 19A TO-220FP
Numer części
SIHA20N50E-E3
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-220-3 Full Pack
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220 Full Pack
Rozpraszanie mocy (maks.)
34W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
500V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
184 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
92nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1640pF @ 100V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 33839 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SIHA20N50E-E3
SIHA20N50E-E3 Części elektroniczne
SIHA20N50E-E3 Obroty
SIHA20N50E-E3 Dostawca
SIHA20N50E-E3 Dystrybutor
SIHA20N50E-E3 Tabela danych
SIHA20N50E-E3 Zdjęcia
SIHA20N50E-E3 Cena
SIHA20N50E-E3 Oferta
SIHA20N50E-E3 Najniższa cena
SIHA20N50E-E3 Szukaj
SIHA20N50E-E3 Nabywczy
SIHA20N50E-E3 Chip