Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
SIE868DF-T1-GE3

SIE868DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 60A POLARPAK
Numer części
SIE868DF-T1-GE3
Producent/marka
Seria
TrenchFET®
Stan części
Active
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
10-PolarPAK® (L)
Pakiet urządzeń dostawcy
10-PolarPAK® (L)
Rozpraszanie mocy (maks.)
5.2W (Ta), 125W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
40V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
145nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
6100pF @ 20V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 45823 PCS
Informacje kontaktowe
Słowa kluczowe SIE868DF-T1-GE3
SIE868DF-T1-GE3 Części elektroniczne
SIE868DF-T1-GE3 Obroty
SIE868DF-T1-GE3 Dostawca
SIE868DF-T1-GE3 Dystrybutor
SIE868DF-T1-GE3 Tabela danych
SIE868DF-T1-GE3 Zdjęcia
SIE868DF-T1-GE3 Cena
SIE868DF-T1-GE3 Oferta
SIE868DF-T1-GE3 Najniższa cena
SIE868DF-T1-GE3 Szukaj
SIE868DF-T1-GE3 Nabywczy
SIE868DF-T1-GE3 Chip