Kup Vishay Siliconix SIDR668DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V

Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.

Arkusze danych

SIDR668DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V

Numer części

SIDR668DP-T1-GE3

Producent/marka

Vishay Siliconix

Seria

TrenchFET® Gen IV

Stan części

Active

Technologia

MOSFET (Metal Oxide)

temperatura robocza

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ mocowania

Surface Mount

Opakowanie/etui

PowerPAK® SO-8

Pakiet urządzeń dostawcy

PowerPAK® SO-8DC

Rozpraszanie mocy (maks.)

6.25W (Ta), 125W (Tc)

Typ FET

N-Channel

Napięcie dren-źródło (Vdss)

100V

Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C

23.2A (Ta), 95A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.8 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.4V @ 250µA

Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs

108nC @ 10V

Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

5400pF @ 50V

Vgs (maks.)

±20V

Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)

7.5V, 10V

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.

W magazynie 8711 PCS

Informacje kontaktowe

Produkty powiązane

SIDR140DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC

Vishay Siliconix

SIDR140DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC

Vishay Siliconix

SIDR140DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC

Vishay Siliconix

SIDR390DP-T1-GE3