SIB914DK-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6
Numer części
SIB914DK-T1-GE3
Producent/marka
Seria
TrenchFET®
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Digi-Reel®
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
PowerPAK® SC-75-6L Dual
Moc - maks
3.1W
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® SC-75-6L Dual
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkcja FET
Standard
Napięcie dren-źródło (Vdss)
8V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
113 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
800mV @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
2.6nC @ 5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
125pF @ 4V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 53550 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SIB914DK-T1-GE3
SIB914DK-T1-GE3 Części elektroniczne
SIB914DK-T1-GE3 Obroty
SIB914DK-T1-GE3 Dostawca
SIB914DK-T1-GE3 Dystrybutor
SIB914DK-T1-GE3 Tabela danych
SIB914DK-T1-GE3 Zdjęcia
SIB914DK-T1-GE3 Cena
SIB914DK-T1-GE3 Oferta
SIB914DK-T1-GE3 Najniższa cena
SIB914DK-T1-GE3 Szukaj
SIB914DK-T1-GE3 Nabywczy
SIB914DK-T1-GE3 Chip