SIB912DK-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6
Numer części
SIB912DK-T1-GE3
Producent/marka
Seria
TrenchFET®
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
PowerPAK® SC-75-6L Dual
Moc - maks
3.1W
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® SC-75-6L Dual
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkcja FET
Logic Level Gate
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
216 mOhm @ 1.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
3nC @ 8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
95pF @ 10V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 26980 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SIB912DK-T1-GE3
SIB912DK-T1-GE3 Części elektroniczne
SIB912DK-T1-GE3 Obroty
SIB912DK-T1-GE3 Dostawca
SIB912DK-T1-GE3 Dystrybutor
SIB912DK-T1-GE3 Tabela danych
SIB912DK-T1-GE3 Zdjęcia
SIB912DK-T1-GE3 Cena
SIB912DK-T1-GE3 Oferta
SIB912DK-T1-GE3 Najniższa cena
SIB912DK-T1-GE3 Szukaj
SIB912DK-T1-GE3 Nabywczy
SIB912DK-T1-GE3 Chip