Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
SIA921EDJ-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Numer części
SIA921EDJ-T1-GE3
Producent/marka
Seria
TrenchFET®
Stan części
Active
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Moc - maks
7.8W
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Typ FET
2 P-Channel (Dual)
Funkcja FET
Logic Level Gate
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
59 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
23nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
-
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 35614 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SIA921EDJ-T1-GE3
SIA921EDJ-T1-GE3 Części elektroniczne
SIA921EDJ-T1-GE3 Obroty
SIA921EDJ-T1-GE3 Dostawca
SIA921EDJ-T1-GE3 Dystrybutor
SIA921EDJ-T1-GE3 Tabela danych
SIA921EDJ-T1-GE3 Zdjęcia
SIA921EDJ-T1-GE3 Cena
SIA921EDJ-T1-GE3 Oferta
SIA921EDJ-T1-GE3 Najniższa cena
SIA921EDJ-T1-GE3 Szukaj
SIA921EDJ-T1-GE3 Nabywczy
SIA921EDJ-T1-GE3 Chip