SIA917DJ-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Numer części
SIA917DJ-T1-GE3
Producent/marka
Seria
TrenchFET®
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Cut Tape (CT)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Moc - maks
6.5W
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Typ FET
2 P-Channel (Dual)
Funkcja FET
Logic Level Gate
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
110 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
9nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
250pF @ 10V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 37899 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SIA917DJ-T1-GE3
SIA917DJ-T1-GE3 Części elektroniczne
SIA917DJ-T1-GE3 Obroty
SIA917DJ-T1-GE3 Dostawca
SIA917DJ-T1-GE3 Dystrybutor
SIA917DJ-T1-GE3 Tabela danych
SIA917DJ-T1-GE3 Zdjęcia
SIA917DJ-T1-GE3 Cena
SIA917DJ-T1-GE3 Oferta
SIA917DJ-T1-GE3 Najniższa cena
SIA917DJ-T1-GE3 Szukaj
SIA917DJ-T1-GE3 Nabywczy
SIA917DJ-T1-GE3 Chip