SIA459EDJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 9A SC70
Numer części
SIA459EDJ-T1-GE3
Producent/marka
Seria
TrenchFET®
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-50°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
PowerPAK® SC-70-6
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® SC-70-6 Single
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
35 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
30nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
885pF @ 10V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
2.5V, 4.5V
Vgs (maks.)
±12V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 45101 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SIA459EDJ-T1-GE3
SIA459EDJ-T1-GE3 Części elektroniczne
SIA459EDJ-T1-GE3 Obroty
SIA459EDJ-T1-GE3 Dostawca
SIA459EDJ-T1-GE3 Dystrybutor
SIA459EDJ-T1-GE3 Tabela danych
SIA459EDJ-T1-GE3 Zdjęcia
SIA459EDJ-T1-GE3 Cena
SIA459EDJ-T1-GE3 Oferta
SIA459EDJ-T1-GE3 Najniższa cena
SIA459EDJ-T1-GE3 Szukaj
SIA459EDJ-T1-GE3 Nabywczy
SIA459EDJ-T1-GE3 Chip