Kup Vishay Siliconix SI9926BDY-T1-E3 MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC

Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.

Wyświetl informacje Arkusze danych

SI9926BDY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC

Numer części

SI9926BDY-T1-E3

Producent/marka

Vishay Siliconix

Seria

TrenchFET®

Stan części

Obsolete

Opakowanie

Tape & Reel (TR)

temperatura robocza

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ mocowania

Surface Mount

Opakowanie/etui

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Moc - maks

1.14W

Pakiet urządzeń dostawcy

8-SO

Typ FET

2 N-Channel (Dual)

Funkcja FET

Logic Level Gate

Napięcie dren-źródło (Vdss)

20V

Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C

6.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20 mOhm @ 8.2A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs

20nC @ 4.5V

Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.

W magazynie 49075 PCS

Informacje kontaktowe

Produkty powiązane

SI9910DJ-E3

IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8DIP

Vishay Siliconix

SI9910DJ-E3

IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8DIP

Vishay Siliconix

SI9910DJ-E3

IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8DIP

Vishay Siliconix

SI9910DY-E3