Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
SI9424BDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 5.6A 8SOIC
Numer części
SI9424BDY-T1-GE3
Producent/marka
Seria
TrenchFET®
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SO
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.25W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 7.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
850mV @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
40nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
-
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
2.5V, 4.5V
Vgs (maks.)
±9V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 51961 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SI9424BDY-T1-GE3
SI9424BDY-T1-GE3 Części elektroniczne
SI9424BDY-T1-GE3 Obroty
SI9424BDY-T1-GE3 Dostawca
SI9424BDY-T1-GE3 Dystrybutor
SI9424BDY-T1-GE3 Tabela danych
SI9424BDY-T1-GE3 Zdjęcia
SI9424BDY-T1-GE3 Cena
SI9424BDY-T1-GE3 Oferta
SI9424BDY-T1-GE3 Najniższa cena
SI9424BDY-T1-GE3 Szukaj
SI9424BDY-T1-GE3 Nabywczy
SI9424BDY-T1-GE3 Chip